Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND MLC
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Samsung - P/N: MZ-76Q1T0BW | Cod. Artigo: 183113
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Samsung 860 QVO SSD 1TB SATA 3 V-NAND MLC Opiniões

Ver mais opiniões 12

J

Jose María
05/03/2019

4.745 Stars

Funciona correctamente, fastidia comprar 1 TB y ver 900gb pero ya sabemos como funcionan los bytes! Me gustaría que pusiera 1000gb xD

Vantagens: Calidad Samsung, más económico que el modelo EVO

Desvantagens : Tiene mayor desgaste frente a su hermano mayor el EVO.

Recomendarias a sua compra?  Sim

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Funciona corretamente, incomoda comprar 1TB e ver 900gb mas já sabemos como funcionam os bytes! Eu gostaria que você colocasse xg 1000gb

Vantagens: Qualidade Samsung, mais barata que o modelo EVO

Desvantagens : Tem maior desgaste contra seu irmão mais velho, o EVO.

Recomendarias a sua compra?  Sim

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O SSD Samsung 860 QVO oferece excelente capacidade de armazenamento, com desempenho e fiabilidade sólidos, com um valor excecional. Este avanço foi alcançado através da mais recente tecnologia flash NAND MLC de 4 bits da Samsung.
Está na hora de atualizares ou expandires o teu armazenamento com a rapidez que precisas, com este SSD.

Características:

  • A arquitetura MLC NAND de 4 bits não só permite mais espaço de armazenamento por célula, como também proporciona um excelente desempenho nas aplicações do dia a dia.
  • A tecnologia Intelligent Turbo Write da Samsung também estabelece altas cargas de trabalho e fornece buffer dinâmico.

Samsung 860 QVO Especificações:

  • Pesos e dimensões
    • Largura do produto: 100 mm
    • Profundidade da Unidade: 6,8 mm
    • Altura da Unidade: 69,8 mm
    • Peso do produto: 51 g
  • Gestão de energia
    • Voltagem em funcionamento: 5 V
    • Consumo de energia (máx): 4 W
    • Consumo de energia (média): 2,2 W
    • Consumo de energia (idle): 0,03 W
  • Condições ambientais
    • Temperatura ambiente: 0 - 70 °C
    • Choque operacional: 1500 G
  • Outras características
    • Cor: Prateado
  • Características adicionais
    • Fator de forma SSD: 2.5"
    • Capacidade da drive SSD: 1000 GB
    • Conectividade: Seral ATA III
    • Tipo de memória: V-NAND MLC
    • NVMe: Não
    • Componente para: Portátil
    • Velocidade de leitura suportada: 550 MB/s
    • Velocidade de escrita suportada: 520 MB/s
    • Tipo de flash NAND: MLC (Multi Level Cell)
    • Taxa de transferência de dados: 6 Gbit/s
    • Leitura aleatória (4KB): 96000 IOPS
    • Escrita aleatória (4KB): 89000 IOPS
    • Tipo de controlador: Samsung MJX
    • Suporte S.M.A.R.T.: Sim
    • Suporte TRIM: Sim
    • ECC: Sim
    • Codificação / segurança: 256-bit AES
    • IEEE 1667: Sim
    • MTBF: 1500000 h
    • Função DevSlp (temporizador de modo de espera): Sim
    • Coleta de lixo ativo: Sim
    • TCG Opal 2.0: Sim
    • Classificação TBW: 360

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