Samsung SSD 970 EVO NVMe M.2 250 GB
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Samsung - P/N: MZ-V7E250BW | Cod. Artigo: 160327
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Samsung SSD 970 EVO NVMe M.2 250 GB Opiniões

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A

anonimo
21/11/2018

4.87 Stars

SSD más rápido que Alonso en su mejor etapa como piloto, me ha llevado a mí y a mi portátil a un nuevo nivel de precocidad, ahora enciendo el pc para buscar nopor y no me da ni tiempo para bajarme los pantalones

Vantagens: Rápido y de sencilla instalación

Desvantagens : Que no viene con el tornillo para fijarlo a la placa

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Acelerar en la próxima generación de informática. El Samsung 970 EVO ofrece velocidades revolucionarias, la mejor confiabilidad de su clase y una amplia gama de opciones de capacidad de hasta 2TB *. El último V-NAND, el nuevo controlador Phoenix y la tecnología Intelligent TurboWrite mejoran los juegos de alta gama y la edición gráfica 4K y 3D.

Características:

  • La 970 Evo transformando de gama alta Gaming y ofrece rápida velocidad de procesamiento trabajos por denneuen Phoenix controlador y la inteligente tecnología TurboWrite.
  • Potencia de datos hasta 3.300 MB/s * de lectura y hasta 2.500 MB/s * al escribir son hasta 32% más en la generación anterior.
  • La Samsung Magician software de mantiene la unidad con actualizaciones siempre actualizado; supervisa el estado parámetros y optimizado para usted la capacidad de potencia.

Especificaciones Samsung SSD 970 EVO NVMe M.2

  • Serie: SSD 970 EVO
  • Interfaz: PCIe Gen 3.0 x4, NVMe 1.3
  • Capacidad: 250 GB (1 GB = 1 mil millones de bytes por IDEMA)
  • Velocidad de lectura secuencial: Hasta 3.400 MB / s
  • Velocidad de escritura secuencial: Hasta 1.500 MB / s
  • Velocidad de lectura aleatoria: Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 200,000 IOPS de lectura aleatoria, Lectura aleatoria (4KB, QD1): hasta 15,000 lecturas aleatorias IOPS
  • Velocidad de escritura aleatoria: Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 350,000 IOPS de escritura aleatoria, Escritura aleatoria (4KB, QD1): hasta 50,000 IOPS de escritura aleatoria
  • Controlador: Controlador Samsung Phoenix
  • NAND Flash: Samsung V-NAND de 3 bits MLC
  • Trim Support: Soportado
  • Encriptación AES: Encriptación AES de 256 bits (Clase 0) TCG / Opal IEEE1667 (Unidad encriptada)
  • Prueba de temperatura: Sí
  • Consumo de energía promedio (nivel del sistema): Promedio: 5.4 W * Máximo: 10 W (modo de ráfaga)
  • Consumo de energía (inactivo): Max. 30 mW
  • Voltaje: 3.3 V ± 5% de voltaje permitido
  • Confiabilidad (MTBF): 1.5 millones de horas de fiabilidad (MTBF)
  • Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ? Temperatura de funcionamiento
  • Choque: 1,500 G y 0,5 ms (medio seno)
  • Producto: M.2 (2280)
  • Dimensiones (W x D x H): 3.16 "x 0.09" x 0.87 "
  • Peso: Max 0.28 oz.

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