Disco Rígido GoodRam PX500 Gen.2 SSD 512GB M.2 PCIe NVMe Gen3x4

Fornecendo até 4 vezes melhor desempenho de transferência aleatória e sequencial em comparação com as unidades de estado sólido SATA III, bem como menor latência que as unidades AHCI, o SSD GOODRAM PX500 Gen.2 otimiza o seu PC.

Este aumento de performance vai melhorar o trabalho dos utilizadores mais exigentes, oferecendo leituras até 2050 MB/s. Também é perfeito como uma unidade autónoma, bem como um complemento para um disco rígido em computadores desktop e portáteis. Os recursos disponíveis para o PX500 Gen.2 fazem com que a unidade funcione em ambas as funções.

Características

• Alto rendimento Ao criar uma unidade com eficiência de memória baseada na tecnologia 3D NAND, conseguiu-se atingir parâmetros de transferência sequencial até 2050 MB/s para leitura e 1650  MB/s para escrita.
• Novas possibilidades com NVMe O protocolo de comunicação NVM Express foi projetado desde o início para realizar o potencial da média de armazenamento rápida baseada em flash. Usando-o no SSD PX500 Gen.2, conseguirá extrair o máximo desempenho da sua memória, controlador e interface PCIe Gen 3 x4. O NVMe reduz drasticamente a latência e o enfileiramento para fornecer uma capacidade de resposta muito melhor em comparação com os SSDs baseados em AHCI.
• O calor sob controlo Um dos problemas que diz respeito ao formato M.2 SSD é o estrangulamento térmico: Uma limitação à eficiência devido a temperaturas ambientes muito altas. Para mantê-lo sob controlo, o PX500 gen.2 possui um revestimento especial composto de cobre e grafite. Assim, proporciona uma dissipação de calor muito boa, sem aumentar o tamanho da unidade.
• Garantia e resistência de 3 anos O GOODRAM PX500 Gen.2 está disponível em capacidades de 256, 512 GB e 1 TB. Todos os tamanhos estão disponíveis no formato M.2 2280, com colocação de elemento unilateral. Tal como o resto dos SSDs da Goodram, o PX500Gen.2 vem com uma garantia de fabricante de 3 anos.

GoodRam PX500 Gen.2 Especificações:

• Interface M.2 PCIe NVMe gen 3 x4 (M-Key)
  
• Formato M.2, tamanho 2280
  
• Chips de memória flash 3D NAND
• Desempenho de leitura sequencial 2.000 MB/s
• Desempenho de escrita sequencial 1.600 MB/s
  
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• MTBF 2.000.000 horas
  
• Temperatura de armazenamento 0 - 70°C
  
• Dimensões 80x22x3,5mm